MT40A512M16TB-062E: R är ett höghastighetsdynamiskt slumpmässigt åtkomstminne som är konfigurerat internt som 8 uppsättningar av DRAM i X16-konfiguration och 16 uppsättningar DRAM i X4- och X8-konfiguration. DDR4 SDRAM använder 8N-uppdateringsarkitekturen för att uppnå höghastighetsdrift. 8N Prefetch -arkitekturen kombineras med ett gränssnitt utformat för att överföra två datordord per klockcykel på I/O -stiften.
MT29F4G08ABBDAH4-IT: D Micron NAND Flash-enheten innehåller ett asynkron datagränssnitt för högpresterande I/O-operationer. Dessa enheter använder en mycket multiplexerad 8-bitars buss (I/OX) för att överföra kommandon, adresser och data.
MT25QL256ABA8E12-0AAT SERIAL NOR Flash-minne har ett lågt antal stift, är enkelt och enkelt att använda och är en enkel lösning som är lämplig för kodning av skuggapplikationer; Kan tillgodose behoven hos konsumentelektronik, industri, trådbunden kommunikation och datorapplikationer. Den här enheten antar branschstandardförpackning, PIN -tilldelning, kommandosats och chipsetkompatibilitet, vilket gör det enkelt att anta i olika mönster. Detta kan spara värdefull utvecklingstid samtidigt som du säkerställer kompatibilitet med befintliga och framtida design. Produktspecifikationer:
MT40A2G8SA-062E: F kan påskynda produktlanseringstiden och tillhandahålla högkvalitativa DRAM-modullösningar, vars tillförlitlighet har testats noggrant.
BCM87400A1KRFBG antar Broadcoms ledande PAM-4 PHY-teknikplattform och är branschens första 400G PAM-4 PHY-sändtagare med NM CMOS-teknik.
XCZU67DR-L2FFVE1156I tillhör Zynq-7000-serien av Xilinx, som är en högpresterande programmerbar systemnivå Chip (SOC) som integrerar ARM-processorer och FPGA (Field Programmerable Gate Array) Strukturer, lämplig för olika högpresterande och högkomplexa tillämpningar som Embediediediediagediasystem, multimedieprocesser, och Wireless-kommunikation
